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硅单晶切割片和硏磨片几何参数

14 — 10—1硅单晶切割片和硏磨片几何参数
产品
名称
硅片直径/mm 直径允许偏差/mm 50.8
±0.4
63.5
±0.4
76.2
±0.5
100
±0.5
125
±0.3
切割片 硅片厚度//zm,! 260 280 320 360 440
厚度允许偏差/ /m ± 15 ±15 ±15 ± 20 ±20
总厚度变化//m" 10 10 10 15 20
翘曲度/!m," 25 30 30 35 40
崩边/mm," 0.5 0.5 0.8 0.8 1.0
研 磨 片 硅片厚度//m,! 240 260 280 320 400
厚度允许偏差//m ± 10 ±10 ±10 ±10 ± 10
总厚度变化//m," 3 4 5 6 8
翘曲度/m," 20 25 30 35 40
崩边
/mm,"
未倒角 0.5 0.5 0.8 0.8 1.0
倒角 0.3
 


14-10-2硅片主、副参考面位置
导电类型 表面取向 主参考面 副参考面
P (111} (111}±1(
n (111} (110} ±1( 与主参考面成45。±5。
P (100} (110} ±1( 与主参考面成90。±5。
n (100} (110} ±1( 与主参考面成180。±5。
 
注:①对于〈111〉硅片,等效于dio}面的有(110)、(oil)和(101)晶面。
② 对于(100)硅片,等效于(110}面的有(011)、(011 )(011)和(011)晶面。
③ 硅片表面取向偏离规定为:正晶向为0。±0.5。;偏晶向为偏离(111)面,平行主参考面向最邻近的〈110〉方向偏 2.5°±0.5°或 4.0。±0.5。。
④ 硅片是否制作参考面,由用户决定。
 
14-10-3硅片主、副参考面长度
硅片直径/mm 50.8 63.5 76.2 100 125
主参考面长度/mm 16±2 商定 22.5±2.5 32.5±2.5 42.5±2.5
副参考面长度/mm 8±2 11.5±1.5 18±2 27.5±2.5
 
 
14-10-4硅片表面质量
缺陷 切割片 研磨片
崩边 硅片崩边径向延伸符合表14- 10- 1的规定。每个崩边的周边长不大于2mm,每片崩边 总数不能多于3个,每批硅片中的崩边硅片总数不得超过总片数的3%
裂纹、缺口 硅片不允许有
色斑、沾污 硅片经超声清洗干燥后,表面应清洁,无色斑及沾污
刀痕、划道 不得有明显切割刀痕 无划道、无刀痕
 
 
第二节 硅单晶抛光片(GB/T 12964- 1996)
由硅单晶研磨片经单面抛光制备的硅抛光片,主要用于制作集成电路等半导体器件或作 硅外延片的沉积衬底。
硅抛光片的导电类型、掺杂剂、电阻率及经电阻率变化、少数载流子寿命、氧、碳含量等物

理性能参数及硅抛光片晶体完整性应符合GB/T 12962的规定。