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高阻硅单晶的电学性能参数

14-9-6高阻硅单晶的电学性能参数
导电类型 掺杂元素 直径/mm 电阻率范围/( !・cm) 电阻率允许偏差/% 少数载流子寿命!(
P B > 30 > 3000 〜20000 ±35 > 500
n P > 30 >800〜10000 ±35 > 1000
 
注:电阻率数值为用二探针法测量的硅锭的电阻率数值。
 
14-9-7中子嬗变掺杂硅单晶电学性能参数
导电类型 晶向 掺杂比 电阻率范围
/( !*cm)
电阻率① 允许偏差/% 晶向电阻率 变化②/% 电阻率条纹
/%③
少数载流子寿命
/
      >50-200 ±10 8 ±8  
    #5 >200-300 ±13 10 ±8  
  111〉   >300-600 ±15 13 ±10 > 100
n   > 5 - 30 ±10 5  
    #10 > 30 - 300 ±10 5 低于检测限  
      > 300 - 600 ±13 6    
 
注:①所有电阻率数值为用二探针法测量硅锭纵向电阻率数值或用四探针法测量硅锭端面或硅片中心的电阻率数值。
② 用四探针法按GB 11073的C方案测量和按公式RV =("- "min"min计算为其中的最大值"min为最小值; 当直径!50.8mm时,按GB 11073的B方案测量和计算。
③ 用扩展电阻探针沿硅片直径每隔25“m测量和读数,计算公式为:8("max - "min)"max + "min) "max为其中的 最大值,min为最小值。根据特殊要求检测。

14-9-8硅单晶的晶向'参考面位置'氧含量'碳含量及晶体完整性
晶向及晶向偏离 硅单晶晶向为〈111〉或〈100〉晶向 直拉硅单晶晶向偏离不大于2° 区熔硅单晶晶向偏离不大于5°
参考面位置 硅单晶的参考面位置及其技术要求应符合GB/T 12964(见表14-10-6和表
14-10-7)的规定
氧含量 直拉硅单晶的间隙氧含量应小于1.8x1018at/cm3,具体指标按需方要求提供 区熔硅单晶的间隙氧含量不大于3 x1016at/cm3
碳含量 直拉硅单晶的碳含量不大于5 X 1016at/cm3 区熔硅单晶的碳含量不大于3 X 1016at/cm3
晶体完整性 硅单晶的位错密度应不大于100/cm2,即无位错
硅单晶应无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹
电阻率小于0.02!・cm的重掺杂硅单晶允许观察到杂质条纹 硅单晶的漩涡缺陷或微缺陷密度由供需双方商定
 

第十章硅单晶切割片、
第十章研磨片及抛光片
第一节硅单晶切割片和研磨片
(GB/T 12965 — 1996)
由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制成的圆形硅片,硅片直径从 50.8 - 125mm分为5种规格。硅片导电类型、掺杂剂、电阻率及径向电阻率变化、少数载流子 寿命、氧、碳含量和硅片晶体完整性应符合GB/T 12962中的规定。产品用于制作晶体管、整流 器件等半导体器件,或进一步加工成硅抛光片。