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工业硅的牌号、化学成分和应用范围

14-8-5工业硅的牌号、化学成分和应用范围
名称 牌号 化学成分/% 应用范围
Si,! 杂质,"
Fe Al Ca
A级硅 Si-A 99.3 0.4 0.2 0.1 化学用硅
B级硅 Si-B 99.0 0.5 0.3 0.2
一级硅 Si-1 98.5 0.6 0.3 冶金用硅
二级硅 Si-2 98.0 0.7 0.5
三级硅 Si-3 97.0 1.0 1.0
 
注:①冶金用硅是指在冶金方面用于配制铝硅等各种合金所用之工业硅,化学用硅是指经化学方法处理后用于制取有 机硅等所用之工业硅。
② 硅含量以100%减去规定分析成分铁、铝、钙之和来确定。
③ 表中用“一”表示的杂质铝是指该项不受单项限制,但要分析并在质量证明书中报出其分析结果。
④ 如有特殊要求,表中未做规定的杂质元素,可由供需双方另行商定。需方对化学用硅的结晶状况如有要求,也可 由供需双方商定。

第九章硅多晶与硅单晶
第一节 硅多晶(GB/T 12963 - 1996)
以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的半导体级的硅多晶,产品主要用于制备硅单晶。
14-9-1硅多晶纯度
项目 硅多晶等级
1级品 2级品 3级品
n型电阻率/(!・cm) !300 !200 !100
p型电阻率/(!・cm) !3000 !2000 !1000
碳浓度/(at/cm3 ) !1.5x1016 !2x1016 !2x1016
n型少数载流子寿命/*s !500 !300 !100
14-9-2硅多晶尺寸范围
块状硅多晶的尺寸分布范围 棒状硅多晶
线性尺寸/mm 重量/% 直径及长度 直径允许偏差
6〜25 "15    
>25〜50 15〜35 供需双方商定 5%
>50〜100 !65    
 
注:①块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布,其线性尺寸最小为6mm,最大为100mm
② 硅多晶应无氧化夹层。
③ 硅多晶表面结构应致密、平整(断面边缘颗粒不大于3mm)。
④ 块状硅多晶的表面应经过酸腐蚀去除表面沾污,使其达到直接使用要求。所有硅多晶的外观应无色斑、变色,无 可见的污染物。
 
第二节 硅单晶(GB/T 12962- 1996)
用直拉法、悬浮区熔法和中子嬗变掺杂(NTD)工艺方法生产的硅单晶,按导电类型分为,

型和p型两种,产品主要用于制作半导体元器件。