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外延层表面缺陷限度

14-8-4外延层表面缺陷限度
序号 缺陷名称 外延片直径/mm 缺陷限度 序号 缺陷名称 外延片直径/mm 缺陷限度
1 滑移线 !76.2
80、90、100
5条总长!直径
10条总长!2倍直径
4 冠状边缘 <50.8
#50.8
突起不得超过 土外延层厚度 无
2 点状缺陷 个数 !50.8
76.2
80、90、100
外延层厚度/“m
!15 >15-25 >25
6,7,10
10,12,15
20,22,25
5 划痕 1条,长度<半径  
6 桔皮、波纹
裂纹、鸦爪
 
3 凹坑个数 !50.8
76.2
80、90、100
3
4
5
7  
8 崩边  
9 沾污  
 
注:①表面缺陷区域系指直径不大于76.2mm的硅外延片除去边缘2mm环形区域、直径80mm、90mm和100mm硅外延 片除去边缘3mm环形区域的整个表面。
② 表面点状缺陷包括符合GB/T 14264的钉、粘附的微粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥。使用清洗技术能除去的微粒 不属于点状缺陷。
③ 崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0.3mm的损伤。最大崩边径向深度不大于0.5mm,累计崩边最大周 边长不大于2.5mm。
④ 雾的定义见GB/T14264。
⑤ 沾污包括色斑、手套印、尘埃、污迹和溶剂残留物。
硅外延片牌号示例
N/N*结构、〈111〉晶向、直径为76.2mm的硅外延层,其牌号为:
MSi-N/N* -EW〈111〉©76.2
(说明:MSi——表示硅单晶材料;EW——表示外延片)

第二节工业硅技术条件
(GB/T 2881 - 1991)
经在矿热炉内用碳质还原剂与硅石熔炼生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和 有机硅等。工业硅一般粒度为6200mm,粒度小于6—、大于200mm的工业硅总和不应超过 10%。经供需双方协商,也可供其他规格粒度的产品。