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非掺杂和掺杂锑化锢单晶及切割片的位错密度和直径等级

14-7-4锑化锢切割片的厚度及偏差
直径!/mm "10〜20 >20〜30 >30〜40 >40〜50
厚度/必m," 500 600 800 1000
厚度偏差/m ±20 ±25 ±30 ± 35
 
 
 
14-7-5非掺杂和掺杂锑化锢单晶及切割片的位错密度和直径等级
级别 位错密度"/(个"cm-2 ) 直径!/mm
1 :100 "30〜50
2 :100 <30
"100〜500 "30〜50
3 >500〜1000 "10〜50
 
 
14-7-6锑化锢(111)晶面切割片的参考面和其直径,参考面长度及其偏差

(mm)
直径 直径偏差 主参考面长度#1 主参考面长度偏差 副参考面长度#2, !
40 ±5 12 ±3 8
50 ±5 12 ±3 8
 

第八章硅外延片,工业
第八章硅技术条件
第一节硅外延片(GB/T 14139 - 1993)
由在*型硅抛光片衬底上生长的*型外延层(n/n+ )和在p型抛光片衬底上生长的p型外 延层(p/p+ )的同质硅外延片,用于制作半导体器件。