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用于磁敏元件的锑化锢单晶电学性能

晶片直径D/mm 主参考面长度/mm 副参考面长度
")/mm, !
晶片面积/cm)
(参考值)
直径 偏差 "1 偏差
40 ±1 13 ± 1,0 8 12.5
50 ±1 16 ± 1,5 9 19,6
 

第七章锑化锢多晶、 第七章单晶及切割片
以区熔法制备的锑化锢多晶,再经直拉法制备成单晶,单晶及其切割片可供制作红外探测 器和磁敏元件等。
14-7-1锑化锢多晶的电学性能(77K
导电类型 级别 载流子浓度/cm-3 迁移率/(cm2/VF)
n 1 5x1013 〜1x 1014 > 6 x 105
2 5x1013 〜1x 1014 >5x105 〜6x10.
3 5x1013 〜1x 1014 >4x105 〜5x10.
 
注:①多晶的导电类型为n型,按载流子迁移率分为三级。②多晶不应有裂纹和机械损伤,不允许有夹杂物。
 
 
14-7-2非掺杂和掺杂锑化锢单晶电学性能77K和位错密度
牌号 导电类型 掺杂剂 载流子浓度
/cm-3
迁移率
/(cm2/V,s)
电阻率
/( #*cm)
直径/mm 位错密度
/cm-2, !
MlnSb n 非掺杂 (1~5)x1014 "4.5 x 105 "0.027 10~50 500
1000
MlnSb - Te n Te 1 x 1015 1 7 x 1018 2.4x1rf ~1x104 0.026 ~ 0.0001 10~50 500
1000
MlnSb - Sn n Sn 1 x 1015 ~ 7 x 1018 2.4x1rf ~1x104 0.026 ~ 0.0001 10~50 500
1000
MlnSb - Ge P Ge 1 x 1015 ~ 9 x 1017 1 x 104 ~ 6 x 102 0.62 ~ 0.012 10~50 500
1000
MlnSb - Zn P Zn 1 x 1015 ~ 9 x 1017 1 x 104 ~ 6 x 102 0.62 ~ 0.012 10~50 500
1000
MlnSb - Cd P Cd 1 x 1015 ~ 9 x 1017 1 x 104 ~ 6 x 102 0.62 ~ 0.012 10~50 500
1000
 


14-7-3用于磁敏元件的锑化锢单晶电学性能(300K
导电类型 掺杂剂 载流子浓度
/cm-3, !
迁移率/
(cm2/V,.)"
位错密度/
cm-2, !
直径/mm 晶向
n 非掺 2.3X1016 6.5x10 500 10〜50 〈111〉
n 非掺 2.3X1016 6.5x10 1000 10〜50 〈111〉
 
注:锑化铟单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3。。切割片的晶向偏离应不大于0.5。。