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低阻n型单晶的规格尺寸、掺杂剂、载流子浓度、迁移率和位错密度

 
14-5-2碲锭的牌号和化学成分
牌号 化学成分/%
Te含 量,! 杂质含量,"
Cu Pb Al Bi Fe Na Si S Se As Mg 杂质
总和
Te-1 99.99 0.001 0.002 0.0009 0.0009 0.0009 0.003 0.001 0.001 0.002 0.0005 0.0009 0.01
Te-2 99.9 0.003 0.00" 0.003 0.002 0.004 0.006 0.002 0.005 0.02 0.001 0.002 0.1
Te-3 99                     1.0
 
注:碲锭为长方形,锭重1〜5kg。

液封直拉法石申化镓 第六章 单晶、水平法申化镓
单晶及其切割片
第一节液封直拉法申化镓单晶及切割片
(GB/T 11093 - 1989)
液封直拉法制备的申化镓单晶及其切割片用于制作光电器件、微波器件和传感元件等元 器件用。
产品按导电类型分为+型和P型,按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型。以掺杂剂、 载流子浓度和迁移率分类,按位错密度分级。
14-6-1低阻n型单晶的规格尺寸、掺杂剂、载流子浓度、迁移率和位错密度
牌号 掺杂剂 载流子浓度/
(个/cm3
迁移率/ ( cm2 /V • s ) 位错密度/ (个/cm2 ),! 直径/mm 长度/
mm,"
LECMGaAs-Si-1 !
LECMGaAs-Si-1"
LECMGaAs-Si-2111
LECMGaAs -Si-3 #
LECMGaAs - Si
Si 1x1018〜5x1018 1300 ~ 2400 5x 103 20 ~ 40 40
1 x 104
5 x 101? - 1 x 1018 2400 ~ 3000 5x 104
1 x 101? ~ 5 x 1018 1300 ~ 3500 1 x 105 40~55
商定 55~76
LECMGaAs-Te-1"
LECMGaAs-Te-2!
LECMGaAs -Te-3 #
LECMGaAs - Te
Te 1x1018〜5x1018
5 x 101? ~ 1 x 1018
2000 ~3000
2500 ~ 3000
1 x 104
5x 104
20 ~ 40
1 x 101? ~2x 1018 2500 ~ 3800 1 x 105 40~55
1 x 101? ~5x 1018 2000 ~ 3800 商定 55~76
 


14-6-3单晶的级别、等次和位错密度
级别 1 2 3
等次   II III %   I III  
位错密度/个/cm2, ! 1 X 16% 5x 162 2x163 5x 103 1X104 2X104 5x 104 1x105
 
 
14-6-4单晶的晶向、基面、表面质量、直径允许偏差及热稳定性
晶向 生长方向为〈100〉、〈111〉或〈110〉
基面 一端或两端应按所要求的晶向切出基面,该面应平整
表面质量 不得有气孔、裂纹和挛晶线
直径偏差 允许偏差由供需双方商定
热稳性 对热稳定性有要求的高阻单晶,其退火条件及热稳定性能由供需双方商定
 

14-6-5切割片的晶面'厚度'直径允许偏差及形状'尺寸和表面质量
晶面 (100)、(111)或(110)
厚度 (400 〜700)±2。!+
直径允许偏差 ) 1mm
形状和尺寸 (111)和(110)晶面切割片的形状和尺寸由供需双方商定:(100)晶面直径 40mm和50mm圆形片的参考面长度及晶片面积见表14-6-6,其他直径的由 供需双方商定
表面质量 表面应平整,不得有气孔、裂纹、挛晶线和明显的切割刀痕