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锗单晶片表面质量

14-3-6锗单晶片表面质量
形状、种类 表面要求
小圆片 崩边:径向延伸!0.3mm,深度! 1/4厚度; 缺口:径向延伸w0.1mm;
崩边和缺口总数!3个/每片,总长度!5%周长/每片
方片或长方片 崩边长度! 1/7边长,
宀』d d! 1/10边长(边长!2mm时),
1 ! 1/20边长(边长>2mm时), 崩边数!2个/每片
切割片 不得有明显刀痕
研磨片 无划道和刀痕
腐蚀片 无划道、刀痕、色斑、污物和叠片现象
 
注:①锗片不允许有裂纹。②锗片经超声清洗干燥后,表面应洁净,无色斑和沾污。

第四章砷与高纯砷
第一节砷(YS/T 68 - 1993)
以三氧化二砷(As-.*)经还原蒸馏制得的砷应呈银灰色金属结晶状。产品用于生产合金 和半导体等行业。
14-4-1砷的牌号和化学成分
牌号 化学成分/%
As,! 杂质,"
Sb Bi S 杂质总和
As 99 99.0 0.4 0.1 O.3 1.0
 
注:申含量为化学分析结果。
 
第二节 高纯碑(YS/T 43 - 1992)
用工业砷为原料,经升华、氯化、精馏和还原等而制得的高纯砷为块状或棒状结晶,呈灰白 色,表面无黑色膜。产品用于制备! - V族化合物半导体和高纯合金,供作硅、错单晶的掺杂 剂等。