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半导体材料的常见牌号和对应的表达方式

术语 定义
划道 在切割、研磨、抛光过程中晶片表面被划伤所留下的痕迹,其长宽比大于5:1
沟槽 抛光过程中没有完全去除的边缘光滑的划道
裂纹 延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕
在抛光片和外延片上由微观表面不规则性(如高密度的小坑)引起的光散射现象。雾很严 重时,在晶片表面上能观察到窄束钨灯灯丝的影像
桔皮 在荧光照明下,晶片表面呈现的一种肉眼可见的形如桔皮状特征的大面积不规则粗糙表面
小丘 晶体表面出现的由一个或多个不规则小平面构成的无规则形状的凸起物。它们可能是材 料内缺陷或各种杂质沾污的延伸,或两者兼有
棱锥 外延层表面的一种突起物。棱锥一般是由衬底与外延层界面处各种不完整性引起的,在 (111)晶片上,通常由三个挛晶四面体生长构成,其生长速率比外延层平均生长速率快1$2 倍,形成了高的突起物。该突起物有充分清晰的小平面和高度的对称性
外延层表面凹处中心繁衍生长的一种长而细的枝蔓状或丝状结晶
沾污 晶片表面上肉眼可见的各种外来异物的总称。大多数情况下,沾污通过吹气(干燥氮气)、 洗涤剂清洗或化学作用可以去除
微粒 晶片表面上明显分立的小颗粒。在平行光照射下呈现为亮点或亮线
色斑 条纹状沾污。化学腐蚀后可观察到呈白色或棕黑色条纹状的“色斑”。这种条纹是化学作 用形成的,除非进一步的研磨或抛光,一般不能除去
 
 
第二节半导体材料牌号表示方法
(GB/T 14844 - 1993)
半导体材料的牌号按照晶体结构和产品形状分为多晶、单晶、晶片和外延片四类。
14-1-2半导体材料各类牌号的表示方法
多晶牌号 PSi-N-1(表示一级块状硅多晶) !
Z - PGe - 1(表示一级区熔锗锭)
R- PGe - 1(表示一级还原锗锭)
-□ - □ -(□)- □
2 3 4 5
1 2 3 4 5
生产方法、特殊用途 多晶名称 多晶的形状 掺杂剂 产品的等级
C:铸造法;IR:红外 光学用途;R:还原 法;Z:区熔法 P表示多晶,用分子 式表示多晶名称 I:棒状
N:块状
(元素符号) 用阿拉伯数字表示
 
续表
单晶牌号
Cz-Si- p(B)-〈100〉(表示晶向为〈100〉的p型掺硼直拉硅单晶)
一 一 □ - □ - □
*Z-Si-n(NTD)-〈111〉(表示晶向为〈111〉的n型中照悬浮区熔硅单晶)
HB-GaAs-n(Si)-〈100〉(表示晶向为〈100〉的n型掺硅水平碑化镓单晶)
LEC-GaA- (Cr + 0)-〈100〉(表示晶向为〈100〉掺铬和氧的液封直拉碑化镓单
晶) 1 2
晶)
)-〈〉
4
1 2 3 4
单晶的生产方法 单晶的名称 用n或p表示导电类 型,括号内元素符号 表示掺杂剂,NTD表 示中子嬗变掺杂法 晶向
Cz表示直拉法;FZ表示悬浮区熔法;HB表 示水平法;LEC表示液封直拉法;MCz表示 磁场拉晶法 用分子式表示 用密勒指数表示
 
晶片牌号
Cz-Si-PW-n(Sb)-〈111〉表示晶向为〈111〉的n型掺锑直拉硅单 口 - □-
晶抛光片)
FZ-Si-BLW-n(NTD)-〈111〉表示晶向为〈111〉的n型中照悬浮
区熔硅单晶双面研磨片) 1 2
□ - □()-〈〉
34 5
1 2 3 4 5
生产方法、特殊用途① 单晶的名称 晶片种类   晶向
CCD表示用于制作电荷耦合器件的晶 片;
IC表示用于制作集成电路器件的晶片; DD表示用于制作分立器件的晶片;
SC表示用于制作太阳能电池器件的晶 片
用分子式表示 CW表示切割片;
LW表示单面研磨片; BLW表示双面研磨片;
EtW表示腐蚀片;
PW表示单面抛光片; BPW表示双面抛光片;
DW表示扩散片;
GW表示吸杂片
符号表示同
单晶的3
用密勒指数 表示
 
VPE -Si- n/n8(P/S?)-〈100〉
(表示晶向为〈100〉衬底为重掺锑外延层掺磷的n型气相硅外延片)
LPE - GaAs -n/n8 ( Sn/Te)-〈 100〉
(表示晶向为〈100〉的衬底掺碲外延层掺锡n型液相碑化镓外延片)
13 4 5
外延片牌号
外延片的生长方法 外延片的名称
VPE表示气相外延;
LPE表示液相外延;
MBE表示分子束外延;
MOCVD表示金属有机化合物化学 气相沉积
用分子式表示
 
外延片的结构
括号内用元素符号表示掺杂剂n/n8表示在
n8型衬底上生长n型外延层;
p/p8表示在p8型衬底上生长p型外延层; n/p(或p/n)表示在p型(或n型)衬底上生 长导电类型相反的外延层;
n/i(或p/i)表示在绝缘衬底上生长n型(或 p型)外延层;
n/p/n表示在n型衬底上先生长p型外延 层,再生长n型外延层,其他多层外延片结 构表示方法以此类推
晶向
用密勒
指数表示
注:①晶片的生产方法其符号同单晶的1。②若多晶,单晶及晶片的产品不强调生产方法、特殊用途、形状、或不掺杂等,
其牌号相应部分可省略。