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半导体材料术语的常见一些术语

14-1-1本章涉及的一些"半导体材料术语"(GB/T 14264 - 1993)
术语 定义
半导体 电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为10-3~10-1°!-cm的一种固体物质。在较宽的温 度范围内,电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传 输实现的。半导体按其结构可分为三类:单晶体、多晶体和非晶体
元素半导体 由一种元素组成的半导体。硅和锗是最常用的元素半导体
化合物半导体 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体,如碑化镓、镓铝碑等
导电类型 半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性
0-型半导体 多数载流子为电子的半导体
P-型半导体 多数载流子为空穴的半导体
空穴 半导体价带结构中一种流动空位,其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样
载流子 固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电载流子。例如,半导体中导电空穴和导电电子
载流子浓度 单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴浓度的符 号为p,电子浓度的符号为n
多数载流子 大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的空穴
少数载流子 小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如,p型半导体中的电子
电阻率允许偏差 晶片中心或晶锭断面中心的电阻率与标称电阻率的最大允许差值,它可以用标称值的百分 数来表示
径向电阻率变化 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的 1/2处或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的 百分数。又称径向电阻率梯度
迁移率 载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。在单一载流子体系中,载流子迁移率与特 定条件下测定的霍尔迁移率成正比。迁移率的符号为"单位为cm2/(Vs)
续表
术语 定义
少数载流子寿命 又称体寿命。晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数 载流子浓度衰减到起始值的1/#(#=2.718)所需的时间
取向偏离 晶片表面法线与晶体结晶方向偏离的一定角度
主参考面 指规范化圆形晶片上长度最长的参考面,其取向通常是特定的晶体方向。也称第一参考面
副参考面 指规范化圆形晶片上长度小于主参考面的平面。它相对于主参考面的位置标记该晶片的 导电类型和取向。又称第二参考面
晶锭 一种棒状半导体,通常其直径是不均匀的或为原生态的多晶体或单晶体
单晶 不含大角晶界或挛晶界的晶体
多晶半导体 由大量结晶学方向不相同的单晶体组成的半导体
无位错单晶 位错密度小于500cm"2的单晶
衬底 用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺操作的基体单晶片
化学气相沉积 通过化学反应制备一种表面薄膜状产品的工艺。外延生长是化学气相沉积的一种特例
气相外延 在气相状态下,将半导体材料沉积在衬底上,使其延着衬底的结晶轴方向生长出一层单晶 薄膜的工艺
液相外延 把半导体材料溶解在溶剂中,使其形成饱和溶液,然后把此饱和溶液覆盖在单晶衬底上,降 低温度,在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺
分子束外延 在超高真空下,使衬底保持在适当高温,把一束或多束分子连续沉积到衬底表面而得到超 薄单晶层的工艺
掺杂 把半导体材料的非本体元素、合金或化合物痕量掺入半导体中,获得预定的电学特性的过 程
中子嬗掺杂(NTD) 用中子流幅照硅单晶锭,使晶体中的Si30嬗变成磷原子而使硅单晶掺杂。NTD单晶的特性 是掺杂杂质在晶体纵向和径向分布特别均匀
直拉法 沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法。又称切克劳斯基法
悬浮区熔法 将晶锭垂直固定,在下端放入籽晶,利用熔体的表面张力,在籽晶上方建立熔区,然后以一 定的速度垂直向上进行区熔,将晶锭提纯制成单晶的方法
水平法 沿着水平方向生长单晶体的一种方法
正面
背面
制造有源器件的晶体表面称为正面;与晶片正面相对的面则称之为背面
晶片 从晶锭切割下的片状晶块。在改变原生晶片晶体结构的后续工艺前进行整形与抛光。晶 片通常有:切割片、研磨片、腐蚀片和抛光片
晶片厚度 晶片中心点垂直于表面方向穿过晶片的距离
崩边 晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深 度和周边弦长给出
缺口 上下贯穿晶片边缘的缺损
刀痕 晶锭切割时,在晶片表面留下的圆弧状痕迹